南京开环电流传感器发展现状

根据自激振荡磁通门传感器激磁频率约束条件fex>2f，当交直流电流传感器检测带宽为0–50Hz时，应设计自激振荡磁通门传感器激磁频率应大于100Hz。设计激磁频率时可根据式（2－42）计算激磁频率fex为：fex=Vout4BSN1SC（4－3）式（4－3）中激磁频率fex 与激磁绕组 W1 匝数 N1 均未确定，通过合理设计参数 N1 使得终激磁频率fex>100Hz 即可满足设计要求。然而激磁频率fex 并不是越大越好， 磁 性材料的涡流损耗与激磁频率fex 的平方成正比，因此当激磁频率fex 较大时，铁芯的涡 流损耗增大， 整体交直流电流传感器功耗增大， 且激磁方波电压一定时，激磁频率fex 越 大则激磁绕组 W1 匝数 N1 越小，而根据式（2－41），匝数 N1 越小则饱和电流阈值 Ith 越 大则铁芯不易进入饱和区工作， 此时所设计的零磁通交直流检测器线性度不高。而激磁  频率fex 过小时，激磁绕组 W1 匝数 N1 过大，此时所设计零磁通交直流检测器的灵敏度 将会降低， 因此在参数设计时需要在零磁通交直流检测器线性度与灵敏度之间有所侧重。随着高频电力电子技术的不断发展及广泛应用，高频电力电子设备中可能会产生交直流复合的复杂电流波形。南京开环电流传感器发展现状

无锡纳吉伏公司总结了直流分量对交流测量影响的相关研究现状，说明了一二次融合背景下交直流电流测量的必要性；通过对电流比较仪的发展回顾，对现有磁调制原理的交直流电流测量方法进行总结，分析了交直流测量方法的关键技术及其制约瓶颈，为交直流电流传感器的优化设计提供思路。对自激振荡磁通门传感器技术进行深入研究，阐明其电流测量基本原理和交直流电流测量的适应性；探究自激振荡磁通门传感器磁参数和几何参数与传感器线性度7和灵敏度之间的定量关系，为自激振荡磁通门传感器的铁芯选择、绕组设计及硬件电路初步设计奠定理论基础。无锡内阻测试仪电流传感器发展现状在电力系统中，电流测量对于确保电力系统的稳定运行至关重要。

比较各个铁芯的矩形比及磁导率参数可知，铁基纳米晶不仅磁导率高、磁饱和强度大且矩形比高，可保证铁芯饱和激磁电流阈值较小，易于进入正负交替饱和状态，因此本文选择了铁基纳米晶作为铁芯材料。磁芯材料的尺寸取决于一次穿心导体的几何尺寸，铁芯形状选择为环形铁芯形状。经查阅相关资料，本文考虑配网用500A母排尺寸及传感器缠绕各个绕组及加装外壳尺寸后的内径裕量，终设计环形铁芯C1及C2内径大小d：75mm，外径大小D：85mm，纵向高度h：10mm。同时铁芯截面面积SC及平均磁路长度le满足下式：

PCS是储能系统中电池与电网之间的桥梁，通过监控与调度系统的调配，实施有效和安全的储能和放电管理。在储能模式下，PCS将电网的交流电转变为直流电给电池组充电，而在并网发电模式下，PCS将电池的直流电转变为交流电进行并网发电。因此，PCS需要具备以下特性： 可以双向工作，既可工作在逆变模式，也可工作在整流模式； 正常工作时，电流波形呈现正弦波形，尽可能地不向电网注入直流分量以及低频谐波； 有功功率和无功功率可以大范围地调节。结合自激振荡磁通门技术和电流比较仪结构，研制出三铁芯三绕组的闭环零磁通交直流电流传感器。

考虑到光学电流测量方法目前仍对温度、振动等环境敏感，对光源要求苛刻，因此在当前的技术水平下，再提高其精度等级具有较大难度[54]。霍尔电流传感器通常需要在铁芯上开口，因此对铁芯加工工艺有一定要求，且开环霍尔电流传感器由于开口漏磁的影响，其精度一般不高；形成闭环可以获得较高的精度，但要实现高精度需要对传感器进行复杂的屏蔽设计，使得测量结构复杂，整机异常笨重，且霍尔传感器本身也对温度敏感，一般不适用于精密电流测量。分流器的原理极为简单，但分流器在交流电流下具有集肤效应，另外当通过电流较大时，分流器易产生温升而使其温度特性变差，此时多采用多个分流器并联的方法来扩大测量的范围，导致分流器的体积会过分庞大；再者，当应用于大交流电流中含有较小的直流分量时，受限于信噪比，难以完成小 直流分量的高精度测量。而传统的磁调制器法电流传感器具有强抗干扰能力，测量精度高，但其性价比不高，主要成本来自于外接交流激励源及复杂的解调电路，而自激振荡 磁通门传感器法也是基于磁调制原理，但其结构简单，不需外加交流激励源。电流是物理学中的一个基本物理量，电流测量是电气测量中必不可少的一部分。吉林电流传感器

由于这个感应电流与被测导体中的电流成正比，因此可以通过测量这个感应电流来间接测量被测导体中的电流。南京开环电流传感器发展现状

观察式（2－25）、（2－26），为了避免复杂运算，需要对ln运算进行化简。根据洛必达法则，假设Im<<IC，则有2Im/(IC-Im)→0，可对两式前半部分进行化简；假设Ith<<IC，βIp1<<IC，则有2Ith/(IC-Ith-βIp1)→0、2Ith/(IC-Ith+βIp1)→0，可对两式后半部分进行化简，化简结果如下：TP~τ12Im+(τ2-τ1)2IthIC-ImIC-Ith-βIp1TN~τ12Im+(τ2-τ1)2IthIC-ImIC-Ith+βIp1由化简后Tp、TN表达式可进一步计算得到：ΔT=T-T=4βIp1Ith(τ2-τ1)PN(IC-Ith-βIp1)(IC-Ith+βIp1)T=TP+TN=4Ith(IC-Ith)(τ2-τ1)+4Imτ1(IC-Ith-βIp1)(IC-Ith+βIp1)IC-Im南京开环电流传感器发展现状