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山西高稳定性纳米银膏定制

时间:2024年01月11日 来源:***公司

纳米银膏在SIC/GaN功率器件上应用背景 功率器件发展迅速并被比较广运用,其设计与制造朝着高频开关速率、高功率密度、高结温等方向发展,尤其是第三代半导体SiC/GaN材料的出现,相对于传统的Si基材料,第三代半导体有着高结温 、低导通电阻、高临界击穿场强、高开关频率等性能优势。在常规封装的功率开关器件中,芯片底部的互连一般采用钎焊工艺,考虑到无铅化的要求,所选择的焊料熔点都低于250 ℃,如常用的 SnAgCu 系和 SnSb 系焊料等,因此不能充分发挥SiC/GaN芯片的高耐温性能。此外,焊料在界面处极易产生脆硬的金属间化合物,给产品的可靠性带来了新的挑战。目前,纳米银烧结技术是一种有效解决方案,银因其熔点高达961 ℃,将其作为连接材料能极大提高器件封装结构的温度耐受性,且纳米银的烧结温度却低于250℃,使用远低于熔点的烧结温度就能得到较为致密的组织结构,烧结后的银层耐热温度高,连接强度高,导热、导电性能良好纳米银膏的表面张力较小,有利于形成均匀的焊接接头,减少了空洞和裂纹。山西高稳定性纳米银膏定制

纳米银膏烧结原理 纳米银烧结是一种基于银离子的扩散融合过程, 其驱动力是总表面能的降低,以及界面能的降低,银颗粒尺寸越小其表面能越高,烧结驱动力越大,还可以通过外部施加的压力来增强此驱动力。银烧结主要有3个阶段:初始阶段以表面原子扩散为特征,烧结颈是在颗粒之间相互以点或者面接触形成的,此阶段对致密化的贡献在2%左右;中间阶段以致密化为特征,发生在形成单独孔隙之前,此阶段致密化达到90%左右;阶段是形成单独孔隙后的烧结,此阶段小孔隙逐渐消失,大孔隙逐渐变小,形成组织致密的烧结银。辽宁高性价比纳米银膏定制纳米银膏的低弹性模量和低热膨胀系数,能够有效地抵抗机械应力和热应力,提高器件的可靠性。

纳米银膏在封装行业的应用非常比较广,尤其是在功率半导体器件的封装中。纳米银膏兼容锡膏的点胶、印刷工艺和设备,其工艺温度低,连接强度高,烧结后为100%Ag,理论熔点达到961℃。因此,它可替代现有的高铅焊料应用,且导热性能优异,适用于SIC、IGBT、LED、射频等功率元器件的封接。 在功率半导体器件封装中,纳米银膏由于其低温烧结、高温服役、高导热、导电性,高粘接强度及高可靠性的优势,使得它在功率电子器件封装领域具有广阔的应用前景。

纳米银膏:推动半导体产业创新,共创未来 在当今快速发展的半导体领域,新材料的应用与开发显得尤为重要。纳米银膏作为一种前沿新材料,以其独特的性能和比较广的应用领域,正逐渐成为市场的新宠。作为纳米银膏领域的行家,我们深入了解其发展趋势和应用前景,致力于为客户提供品质高、高性能的纳米银膏材料。纳米银膏是由纳米银颗粒和有机溶剂制备而成的膏状材料。它具有优异的导热、导电等性能,被比较广应用于电子、医疗、航空航天、新能源等领域。在半导体产业中,纳米银膏主要用于制造高性能的电子器件和解决高精度的制造工艺问题。其比较好的导热导电性能可以提升器件的性能和可靠性,同时延长使用寿命,为半导体产业的发展带来新的突破。 作为一家专注于纳米银膏研发与推广的企业,我们始终坚持以客户为中心,以创新为动力。我们拥有一支经验丰富、技术精湛的研发团队,不断进行技术创新和工艺改进,以提高产品的性能和一致性。 纳米银膏材料的生命周期和发展规划将始终以客户需求为导向,以技术创新为驱动。我们坚信,通过我们的努力和专业知识的不断积累,纳米银膏将在半导体产业中发挥更大的作用,为客户创造更多的价值。纳米银膏是一款耐高温焊料。

纳米银膏在功率器件上的应用 纳米银膏是一种高导热导电材料,其在功率器件领域的应用也备受瞩目。作为功率器件产品行家,我将为您介绍纳米银膏在功率器件上的应用优势。 首先,纳米银膏具备出色的导热性能。功率器件在使用过程中会产生大量的热量,如果不能及时散热,将导致器件温度升高,影响其稳定性和寿命。而纳米银膏的高热导率能够迅速传导热量,有效降低器件的工作温度,提高其可靠性和使用寿命。 其次,纳米银膏具有良好的导电性能。功率器件需要通过电流来正常工作,而纳米银膏的导电性能优越,能够提供稳定可靠的电连接,减少电阻和电压降,提高器件的工作效率和输出能力。 此外,纳米银膏还具备较好的粘接强度和高温可靠性,粘接强度>70MPa,服役温度超过500度 综上所述,纳米银膏在功率器件上的应用优势明显。它的高导热性能、良好的导电性能及高粘接强度和高可靠性,为功率器件提供了更高的性能和可靠性。我们将继续致力于研发和应用纳米银膏技术,为客户提供更品质高的功率器件产品。纳米银膏因其低温烧结,高导热导电特性,可应用在大功率LED封装。上海耐高温纳米银膏厂家直销

据研究表明,使用纳米银膏材料,可使功率模块寿命提高5~10倍。山西高稳定性纳米银膏定制

随着科技的进步,以SiC、GaN为主的宽禁带半导体材料具有高 击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密 度、高迁移率、可承受大功率等特点,非常适合 制作应用于高频、高压、高温等应用场合的功率模 块,且有助于电力电子系统的效率和功率密度的提升。功率密度的提高及器件小型化等因素使热量的 及时导出成为保证功率器件性能及可靠性的关键。作为界面散热的关键通道,功率模块封装结构中连 接层的高温可靠性和散热能力尤为重要,纳米银膏逐渐展现出其的优势。 纳米银烧结技术是一种利用纳米银膏在较低的温度下,加压或不加压实现的耐高温封装连接技术,烧结温度远低于块状银的熔点。纳米银膏中 有机成分在烧结过程中分解挥发,形成银连接层。纳米银烧结接头可以满足第三代半导体功率模块封装互连低温连接、高温服役的要求,在功率器件制造过程中已有大量应用 总的来说,纳米银膏作为一种创新的电子互连材料,在导热导电性能、高可靠性等方面都有优势。这些优势使得纳米银膏成为未来电子产业发展的重要趋势,推动功率器件向更高功率、更高性能、更高可靠性方向发展。山西高稳定性纳米银膏定制

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